5月17日消息,近日,台积电在技术研讨会上宣布,其3nm工艺技术已稳定进入生产阶段,并计划在2024年下半年推动N3P节点投入大规模量产。

  台积电方面介绍,N3P技术是基于现有的N3E工艺节点进行的优化升级,该技术在能效和晶体管密度上实现了显著提升。N3E工艺节点的生产效率已大幅提高,现已与成熟的5nm工艺并驾齐驱。

  据本站了解,台积电的高层管理人员在会议上透露,N3P工艺已经完成了全面的质量验证,其良品率已接近N3E的水平。作为一种先进的光学微缩工艺,N3P与N3E在IP模块、设计规则、EDA工具和方法上均具有良好的兼容性,这使得从N3E到N3P的技术过渡得以顺利进行。

  台积电强调,N3P的主要优势在于其强化的技术规格。相较于N3E,使用N3P技术的芯片设计人员可以期待在维持相同功耗的情况下,实现大约4%的性能提升,或者在保持相同性能的情况下,实现约9%的功耗降低。对于包含逻辑、SRAM以及模拟元件的标准芯片设计,N3P还能使晶体管密度提升4%。这一系列的提升将有助于芯片在性能和效率上达到新的高度。